CVD化學氣相沉積爐由開啟式單（雙）溫區(qū)管式爐、高真空分子泵系統(tǒng)、壓強控制儀及多通道浮子系統(tǒng)或高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成。CVD化學氣相沉積爐可實現(xiàn)真空達0.001Pa混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。
化學氣相沉積CVD系統(tǒng)設(shè)計用于在粉末Si材料（通常用作鋰電池的負極）上覆蓋碳膜。通過在化學氣相沉積CVD過程中旋轉(zhuǎn)反應(yīng)爐管，可以攪拌粉末樣品，從而可以均勻沉積碳膜。

1700度管式爐

三路浮子混氣系統(tǒng)

CVD浮子混氣系統(tǒng)用途：

適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用

CVD浮子混氣系統(tǒng)功能特點：

1、高真空系統(tǒng)由雙級旋片真空泵和分子泵組成，額定真空可達0.0001Pa；

2、可配合壓強控制儀控制氣體壓力實現(xiàn)負壓的精準控制；

3、數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)是由多路質(zhì)量流量計，流量顯示儀等組成，實現(xiàn)氣體的流量的精密測量和控制；每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性。

4、采用KF快速法蘭密封，裝卸方便快捷；管路采用卡套連接，確保不漏氣；

5、超溫、過壓時，自動切斷加熱電源及流量計進氣，使用安全可靠。

CVD浮子混氣系統(tǒng)主要參數(shù)

設(shè)備名稱：1700℃氣相沉積爐

額定溫度：1700度
工作溫度：≤1600℃

爐管：采用99氧化鋁剛玉管，致密度高，經(jīng)久耐用，不易斷裂

爐管尺寸：Φ40/60/80*/1000mm

爐管配件：4個氧化鋁管堵

加熱元件：6根U型硅鉬棒

加熱區(qū)長度：280mm

恒溫區(qū)長度：100mm

升溫速率：≤10℃/min

溫控系統(tǒng)：溫度控制采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù)，具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能、50段升降溫程序

測溫元件：B型雙鉑銠熱電偶

恒溫精度：±1℃

流量規(guī)格：0.3~3L/min

控制精度：±5%

極限真空：6.0×10-5Pa

工作真空：7.6×10-4Pa

測溫元件：B型雙鉑銠熱電偶

電壓：AC220V 50/60Hz

功率：6KW

尺寸：高溫管式爐：660*580*910mm、混氣移動工作臺：800*540*720mm

可選配件：多路浮子或質(zhì)子混氣系統(tǒng),中、高真空系統(tǒng)，各種剛玉坩堝，剛玉管，計算機控制軟件，無紙記錄儀，氧含量分析儀，冷卻水循環(huán)機等

供氣系統(tǒng)

質(zhì)量流量計和不銹鋼混氣罐都安裝在一個移動柜里，移動柜額定可以承重1000Lbs，各通道氣路的流量設(shè)定和狀態(tài)顯示都集中在觸摸屏上，同時可以實時查看氣體流量曲線和數(shù)據(jù)。

· 標準量程：100sccm、200sccm、200sccm、500sccm(可以定制量程與數(shù)量）

· 質(zhì)量流量控制器：

（1）工作電壓：AC 220V/50HZ

（2）工作溫度：5-45℃

（3）工作壓強：3×106 Pa

（4）額定輸出功率：23W

（5）精度：±1.5%FS

（6）線性：±(0.5-1.5)%F.S

（7）重復(fù)精度：±0.2%F.S

（8）響應(yīng)時間：氣特性：1-4 Sec，電特性：10 Sec

（9）工作壓差范圍：0.1-0.5 MPa

· PLC觸摸屏：

各通道的氣路設(shè)定和查看都集中在觸摸屏上，可以選配RS485通訊接口和PC控溫軟件可以連接到電腦上，進行遠程控制

· 機械壓力表：量程范圍：-0.1-0.15MPa

· 針閥：316不銹鋼

· 管件：內(nèi)部連接管道為1/4〞聚四氟管，外部通氣管道為1/4〞聚四氟管

· 氣體混料罐：Φ80×120mm

· 截止閥：316不銹鋼針閥Φ1/4〞

· 產(chǎn)品規(guī)格： 600×745×700mm